东莞市普隆电子有限公司

PULOM 高压交流谐振电容器 （定制品）

产品采用进口高压金属化聚丙烯薄膜，真空电镀电极。适用于高压交流谐振电路。

产品特点/Introduction:
A.塑料外壳封装，阻燃环氧树脂灌注；
A.Plastic,Sealed with epoxy resin;
B.镀锡铜插片引出，方便IGBT各种孔距安装；
B.Tin-plated copper inserts leads,easy installation F薄膜电容or IGBT
C.耐压高，损耗小(tgθ)，温升低
C.Resistance to high voltage,low tgθ，low temperature rise
D.自感(ESL)小，等效串联内阻小:(ESR)
D.Low ESL and ESR
E.高脉冲电流，高dv/dt承受能力
E.High pulse Current
高储能电容器|吸收电容|无感缓冲吸收电容|突波吸收|无感电容|IGBT突波吸收电容
高频电容|吸收保护|高频振荡电容器|高频谐振电容器|电焊机电容器|电焊机专用电容器
DAWN  电焊机电容器|CBB15电焊机电容器|CBB15电容器|SMJ-P电容器

Ⅱ应用(Application):
一:IGBT 缓冲吸收(IGBT Snubber)
二:广泛应用于电力电子设备中开关器件断时的尖峰电流吸收保护
Widely used in power electronic equipment when the peak voltage,
peak current absorption protection.

工作温度范围/Operating temperature range -40 +85 +105℃
容量范围0.1-10uF薄膜电容(0.1μF 0.47μF 0.47μ 0.15 0.22uF薄膜电容 0.33uF薄膜电容 0.47uF薄膜电容 0.5uF薄膜电容 0.56uF薄膜电容 0.68uF薄膜电容 0.82uF薄膜电容 1uF薄膜电容 1.5uF薄膜电容 2uF薄膜电容 2.2uF薄膜电容 2.5uF薄膜电容 2.7uF薄膜电容 3uF薄膜电容 3.3uF薄膜电容 3.5uF薄膜电容 4uF薄膜电容 4.5uF薄膜电容 4.7uF薄膜电容 5uF薄膜电容 5.6uF薄膜电容 6uF薄膜电容 6.8uF薄膜电容 7uF薄膜电容 8uF薄膜电容 9uF薄膜电容 10uF薄膜电容　6μF　8μF　10μF　12μF　15μ　18μF　20μF)
额定电压 500VDC-3500V.DC (630Vdc 800V 1000v 1200v 1500v 1600v 2000v 2500v 3000V)承受电压1.6倍的Un/10s
损耗角正切值(10KHz)：【tgθ≤0.05%(电容量≤1uF薄膜电容 )】【tgθ≤0.08%(电容量≥1uF薄膜电容】
绝缘电阻(100V20℃时)：【C≤0.33uF薄膜电容 Rs≥15000MΩ 】【C＞0.33uF薄膜电容 Rs*C≥5000s】
耐脉冲冲击电流： dv/dt≥600v/us
阻燃等级 UL94V0级
指导生产标准：IEC61071;61881;GB/TT17702;CRE企业标准